第九届半导体物理与器件国际研讨会(ICSPD 2025)

第九届半导体物理与器件国际研讨会（ICSPD 2025）
The 9th Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices(ICSPD 2025)
 
△. 重要信息
官网：https://www.academicx.org/ICSPD/2025/
时间：2025年12月5-7日
地点：中国 · 三亚
邮箱投稿：editorrolin@gmail.com
检索：谷歌学术收录
录用通知：论文投稿后5-7个工作日
 
△. 大会简介
第九届半导体物理与器件国际研讨会（The 9th Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices）将于2025年12月5-7日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体，新兴半导体技术，铁磁性/磁性半导体，有机半导体，光电和光伏器件，半导体物理学等所有相关议题。会议将集聚来自世界各地的科研人员、工程师、学者及业界专家，展示他们在半导体物理与器件相关领域的最新研究成果及活动进展。
 
△.  参会方式 
1. 听众参会（不投稿）
只参会，不投稿且不参与演讲及展示
2. 摘要参会（参会 + 摘要 + 报告 ）
投递摘要并参会，摘要将作为报告材料收录在大会指南中，并安排10-15分钟口头报告；   
3. 全文参会（参会 + 全文发表 + 报告）  
投递全文并参会，录用的文章发表在开源期刊上，被知网、谷歌学术等收录；  一篇文章的注册费含一位作者的参会费用，将安排做10-15分钟的口头报告；
4. 特邀演讲嘉宾：申请主题演讲，发送简历，由组委会审核；
 
△. 文章出版
出版物：所有被会议录用的英文稿件将会发表在国际英文开源期刊
检索：谷歌学术收录
论文评审: 所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿， 经过严格的审稿之后，最终所有录用的论文将发表
审稿流程：本次会议采用先投稿，先送专家评审的方式进行
 
△. 投稿须知：
1. 如果您只是参加会议作报告，不需要发表文章，请直接投递英文摘要即可。
2. 全文篇幅建议15-20页（按照模板格式，带图和参考文献），超过20页需缴纳超页费。摘要投稿无格式要求，具备标题、内容、关键词、作者信息即可，篇幅建议控制在1页以内，最长不超过2页。
3. 投稿之后5-7个工作日内您会收到审核结果，如逾期未收到邮件通知，请您尽快联系我们。
4. 可投中文稿件，文章题目、摘要，关键词需要中英双语，正文部分为中文（可联系我们索取模板文档）。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。
 
△. 大会日程（供参考） 
2025年12月5日 - 大会签到
2025年12月6日 - 特邀演讲嘉宾报告
2025年12月7日 - 作者报告及海报展示
 
△. 大会咨询
邮箱: contact12@academicx.org   (editorrolin@gmail.com)          
Whatsapp: +86 18672346485
电话: +86 18627814037
QQ: 1349406763
微信: 3025797047 （企业微信同号）/ 18627814037
微信公众号: Academic Communications
 
该会议征文涉及领域包括（但不限于）：
宽禁带半导体
低维半导体物理
量子半导体物理
光子学半导体
载流子动力学与传输机制
下一代晶体管
柔性与可穿戴半导体
面向5G及更远技术的半导体
类脑神经形态设备
先进光伏技术
半导体传感器
化合物半导体
人工智能中的半导体
存储技术
半导体制造与光刻技术进展
器件设计与制造
器件性能与可靠性
新兴半导体技术
铁磁性/磁性半导体
半导体物理中的高磁场/高压
半导体中的杂质/缺陷
发光二极管（LED）与二极管激光器
新型半导体器件及应用
有机半导体
半导体材料与应用
半导体加工
半导体自旋电子学
半导体探测器
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内容为网页翻译，可能会有差异，以官网为准https://www.academicx.org/ICSPD/2025/